Forskare vid Lunds tekniska högskola har tagit fram en ny 1T1R-konfiguration som gör det möjligt att integrera en minnescell i nanostorlek med en vertikal transistorväljare för att på så vis utföra mycket snabbare beräkningar inuti själva minneskretsen.

Konfigurationen skulle kunna ha stor påverkan på framtidens superdatorer eftersom en välkänd flaskhals inom teknisk utveckling länge varit att processorernas beräkningar sker mycket snabbare än hastigheten på minnet. Begränsningen ska uppstå i att kretskort byggs med enheter som ligger brevid varandra på en platt yta. Den nya konfigurationen sker istället vertikalt i 3D. 

– Vår version är en nanotråd med en transistor i botten och ett väldigt litet minneselement som sitter uppe på samma tråd. Det gör det till en kompakt integrerad funktion där transistorn styr minneselementet. Tanken har funnits tidigare, men det har varit svårt att få prestanda. Men vi visar nu att man kan få det och att det fungerar förvånansvärt bra, säger Lars-Erik Wernersson, professor i nanoeletronik, i ett pressmeddelande.

Framtida användningsområden skulle kunna vara olika former av maskininlärning så som gestkontroller, klimatmodellering och utvecklingen av mediciner.

Du kan läsa mer ingående om forskarnas arbete här i Nature Electronics. Forskarna bakom arbetet är Mamidala Saketh Ram, Karl-Magnus Persson, Austin Irish, Adam Jönsson, Rainer Timm och Lars-Erik Wernerssson.